【摘 要】
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本文利用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)对金属Mn在6H-SiC(0001)表面的生长模式和Mn/6H-SiC(0001)界面进行了研究.实验结果表明,常温下金属Mn在6H-SiC(000
【机 构】
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中国科学技术大学国家同步辐射实验室,中国工程物理研究院流体物理研究所,中国科学院合肥智能机械研究所,山东大学晶体材料国家重点实验室
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本文利用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)对金属Mn在6H-SiC(0001)表面的生长模式和Mn/6H-SiC(0001)界面进行了研究.实验结果表明,常温下金属Mn在6H-SiC(0001)表面上表现为二维层状生长模式.随着金属Mn沉积膜厚的增加,样品表面金属性明显增强.沉积过程中,金属Mn并未与SiC衬底发生反应,界面间由于能带弯曲导致费米能级向下移动,并计算出肖特基势垒高度(SBH)大约为1.79eV.当沉积膜厚达到2 nm后,样品于250℃退火导致金属.Mn向衬底扩散,但未与衬底发生反应.样品于500℃退火后界面间形成Mn的硅化物.
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