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大多数MEMS器件制作技术是将相应的结构构造在CMOS上的薄膜上，而CMOSMEMS是在标准CMOS半导体材料内直接将MEMS结构构造于CMOS的金属介电层上。这些层是在标准CMOS工艺流程中沉积的，与在CMOSMEMS裸片上的传感器共享相同的硅衬底，并在片上进行连接。CMOSMEMS使把所有机电传感器结构加之模拟和数字信号处理功能整合进单一芯片成为可能，从而将声学、惯性和RF系统集成在一个芯片内。