【摘 要】
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用中子发生器上D-D反应的2.5 MeV中子辐照Co掺杂ZnO和对照样品纯ZnO单晶.室温下测量了样品的X射线衍射谱、光致发光谱和透射光谱.结果表明,快中子辐照后的纯ZnO单晶中引入了
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用中子发生器上D-D反应的2.5 MeV中子辐照Co掺杂ZnO和对照样品纯ZnO单晶.室温下测量了样品的X射线衍射谱、光致发光谱和透射光谱.结果表明,快中子辐照后的纯ZnO单晶中引入了氧空位(Vo)和氧错位(OZn)缺陷,且有少量的锌填隙(Zni)和氧填隙(Oi)缺陷.Co掺杂ZnO中存在的Co以及钴氧化物纳米团簇由于快中子轰击而分解消失.快中子与替代Zn2+的Co2+的碰撞导致大量的Co2+离开ZnO晶格点位,导致Co掺杂ZnO中引入钴填隙杂质和锌空位(VZn)缺陷.中子辐照后的所有样品依然呈纤锌矿结构并沿c轴高度择优取向.表明纯ZnO和掺Co氧化锌半导体材料具有良好的抗辐照性能,在空间器件方面具有应用潜力,且有助于在ZnO点缺陷方面的研究.
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