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采用场效应晶体管ATF541M4设计了一个工作于LTE第38频段（2570MHz-2620MHz）的低噪声放大器。首先介绍设计低噪声放大器的理论基础，其次在ADS中进行仿真，最后将仿真结果与实测结果进行对比，得出结论。实测结果表明，该低噪声放大器在指定频率范围内噪声系数小于ldB，增益大于13dB，带内波动小于±0．25dB。