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AT＆T贝尔研究所开发评价了0．35μm工艺器件的多层内部布线新技术。本技术内容为：介质股平坦化用的光致抗蚀剂背腐蚀，为层间介质膜整体平坦化的CMP，为层间介质膜填充间隙的TEOS／O3CVD，为扩散，胶质层的Ti／TiN直线（Collimate）溅射，窗口及经点柱塞（ViaPluz）的背腐蚀的W－CVD等工艺技水。采用此项技术，在源／漏处均可在低接触电阻下形成有TiSi2的牢固结或其它类型的结。在窗口及经点采用完全钨柱塞式嵌入，可形成接点叠层，达到设计规则微细化。层间介质股采用CMP整体平坦化工艺，解决