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本文用交流阻抗技术、SEM、EPMA、TEM及正电子湮没技术研究了烧结温度对掺有Al_2O_3的ZrO_2的电阻的影响.电阻的测量结果表明,随烧结温度升高,ZrO_2的晶界及总电阻逐步下降,进一步的研究揭示了产生这种现象的原因.随烧结温度升高,试样中Al元素逐步偏析于ZrO_2晶界,并在晶界上形成高缺陷浓度的晶界相,这就是试样中电阻降低的原因。