论文部分内容阅读
基于第一性原理密度泛函方法,对不同浓度的Y掺杂CdS进行了结构优化,并计算了能量带隙、光学性质.结果显示随着掺杂浓度增大,价带下降,费米能级进入导带,材料变为N型半导体.光学吸收系数随着浓度的增加出现向低能区移动.掺杂达到24.57%时,Y@CdS红外部分出现明显的吸收,同时出现光电导,可作为红外示踪材料或光控开关材料.通过态密度分析了光电性质变化机理.