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多孔硅是一种具有优良光吸收特性的表面微结构材料，在光电探测器和太阳能光伏电池领域具有良好的应用前景。为了改善金属/多孔硅电接触质量，通过电化学腐蚀制备多孔硅，对比研究了化学镀与物理气相沉积（热蒸发、磁控溅射）工艺制备出的金属电极界面结构，测试了相应I-V特性，并讨论了快速退火对金半接触质量的影响。研究结果表明，用化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极，经快速退火处理后，能得到较低比接触电阻（10^-1Ω·cm2）的欧姆电接触。