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用正硅酸乙酯（TEOS）和改性3-氨丙基三甲氧基硅烷（APTMOS）作为无机前驱体,采用溶胶-凝胶法制备了聚酰亚胺/二氧化硅（PI/SiO2）复合薄膜。采用傅立叶变换红外光谱（FT-IR）,扫描电子显微镜（SEM）和热重分析（TGA）对PI/SiO2纳米复合薄膜进行了表征,讨论了改性APTMOS的加入对PI/SiO2复合薄膜结构和耐电晕性能的影响。结果表明,改性APTMOS的加入明显降低了SiO2粒子的团聚,并提高了PI/SiO2纳米复合薄膜的耐电晕性能。