【摘 要】
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用C-V技术测量了铝膜和金球探针作为电极的MOS系统接触电势差,MOS系统的衬底包括（100）和（111）两种取向的n型和P型硅单晶片,SiO2膜用热氧化工艺生长.测量结果表明,用C-V技术测到的
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用C-V技术测量了铝膜和金球探针作为电极的MOS系统接触电势差,MOS系统的衬底包括（100）和（111）两种取向的n型和P型硅单晶片,SiO2膜用热氧化工艺生长.测量结果表明,用C-V技术测到的铝-硅和金-硅接触电势差比用光发射方法测到的数据均大了0.35伏左右.作者认为,在研究MOS系统不涉及光的电学现象,需要接触电势差时,最好采用C-V技术测出的数据.
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