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介绍了一种具有Buffer层的分离栅VDMOS器件,通过Medici进行了仿真研究,分析了Buffer层对器件电学特性的影响,并提供了获得合适Buffer层参数以优化器件功率优值的设计公式。优化后器件的功率优值较现有研究结果均出现了30%以上的增加。
一种具有Buffer层的分离栅VDMOS研究
【摘 要】
：
介绍了一种具有Buffer层的分离栅VDMOS器件,通过Medici进行了仿真研究,分析了Buffer层对器件电学特性的影响,并提供了获得合适Buffer层参数以优化器件功率优值的设计公式。优
【机 构】
：
电子科技大学
【出 处】
：
电子与封装
【发表日期】
：
2020年5期
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