【摘 要】
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以硅烷和氨气为前驱体，采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）法制备了氮化硅（SiNx）薄膜．利用X射线光电子能谱和红外光谱，研究了在不同的硅烷／氨气流量比条件下，合成的氮化硅薄膜的组分和
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以硅烷和氨气为前驱体，采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）法制备了氮化硅（SiNx）薄膜．利用X射线光电子能谱和红外光谱，研究了在不同的硅烷／氨气流量比条件下，合成的氮化硅薄膜的组分和结构．结果表明：随着硅烷氨气流量比的增加，薄膜的氮硅原子比率增加：更多Si-N戍键态随着NH3／SiH4流量比的增加获得．I-V曲线展现了氮化硅薄膜的电学性能．
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