【摘 要】
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InGaZnO薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistor,IGZO TFT)与Cu互连组合的驱动背板,在生产线机台上的抗静电放电(electrostatic discharge,ESD)耐压能力比传统a-Si TFT背板
【机 构】
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北京大学信息工程学院,北京大学信息科学技术学院,南京中电熊猫液晶显示科技有限公司,南京中电熊猫平板显示科技有限公司
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:61574003,61774010);深圳市科学计划基金(批准号:GGFW20170728163447038,JCYJ20180504165449640)资助的课题~~
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InGaZnO薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistor,IGZO TFT)与Cu互连组合的驱动背板,在生产线机台上的抗静电放电(electrostatic discharge,ESD)耐压能力比传统a-Si TFT背板低将近一个数量级电压,数据线和扫描线层间Mo/Cu互连抗击穿电压只有传统a-Si TFT背板层间Mo/Al/Mo互连的60%左右.层间Cu互连的ESD破坏成为影响IGZO TFT超高清面板正常显示的一个重要因素.本文建立了扫描线层Cu金属扩散进入SiNx/SiO2
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