【摘 要】
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采用电子束蒸镀预制层,再对预制层进行硒化的两步法工艺,通过调节硒化温度和退火时间,在玻璃基底上成功制备了SnSe薄膜.利用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜、紫外可见
【机 构】
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南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室,南京,210016
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采用电子束蒸镀预制层,再对预制层进行硒化的两步法工艺,通过调节硒化温度和退火时间,在玻璃基底上成功制备了SnSe薄膜.利用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜、紫外可见近红外分光光度计等研究了SnSe薄膜的物相、微观形貌和光学性能.结果 表明,在450℃下硒化退火60 min可制备出纯相的多晶SnSe薄膜,其带隙为0.93 eV.在功率为200mW/cm2的980 nm激光照射下,对SnSe薄膜进行了光电响应特性测试,通过曲线模拟得出所制薄膜的响应时间和恢复时间分别为62和80 ms.
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