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硅尖阵列场致发射微二极管的制备及特性研究
硅尖阵列场致发射微二极管的制备及特性研究
来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户:haoliangli
【摘 要】
:
本文采用各向异性腐蚀和干-湿-干氧化锐化工艺,在n型,(100)晶向、电阻率为3~5Ωcm、3英寸硅片上均匀制备了三种结构硅尖阵列场致发射二极管。锥尖密度达15000个/mm ̄2,硅尖曲率半径小于30nm;在35V收集极电压下,单尖
【作 者】
:
王保平
黄仲平
【机 构】
:
东南大学电子工程系
【出 处】
:
电子器件
【发表日期】
:
1994年3期
【关键词】
:
各向异性腐蚀
场致发射
二极管
氧化锐化
Anistropic etching
field -emission
diode
oxidation sharpeni
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本文采用各向异性腐蚀和干-湿-干氧化锐化工艺,在n型,(100)晶向、电阻率为3~5Ωcm、3英寸硅片上均匀制备了三种结构硅尖阵列场致发射二极管。锥尖密度达15000个/mm ̄2,硅尖曲率半径小于30nm;在35V收集极电压下,单尖发出电流达0.14μA,其Ⅰ—Ⅴ曲线与F—N公式类似。
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