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用于绝缘体上硅工艺的硅片粘合技术
用于绝缘体上硅工艺的硅片粘合技术
来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yubil
【摘 要】
:
<正> 硅片粘合技术,是一种最有希望取代其它SOI方法的工艺,因为SOI层能完整地保留普通硅片结晶完美性。根据器件设计要求,选择晶向、掺杂物质和被粘合硅片的电阻率。即使采用
【作 者】
:
曹阳
阿愚
【出 处】
:
微电子学
【发表日期】
:
1991年4期
【关键词】
:
绝绷体上硅
工艺
硅片
粘合
薄膜
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<正> 硅片粘合技术,是一种最有希望取代其它SOI方法的工艺,因为SOI层能完整地保留普通硅片结晶完美性。根据器件设计要求,选择晶向、掺杂物质和被粘合硅片的电阻率。即使采用~1μm的厚度,其底层氧化物的厚度也能修正。现在,已经可以获得均
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