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根据InGaAsP／InP APD在红外通信波段实现单光子探测的要求和特点，通过数学建模和仿真分析了门控抑制电路的各项参数之间的关系，为门模参数的实际选择提供依据。结果表明：偏置电压的大小、门脉冲宽度和周期的选择对提高探测器性能起着关键的作用。并在仿真的基础上提出了一个较为完善的单光子探测器电路，该电路能够为每个探测到的光子产生TTL信号。