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实现了一种新型的基于硅IC工艺的微波铁氧体集成薄膜变压器．铁氧体薄膜采用射频磁控溅射法制备，SEM观察了SiO2层上铁氧体膜的表面形貌，表明薄膜容易开裂；能谱仪对薄膜成分的分析表明铁氧体薄膜与SiO2层和Al膜附着性差．通过溅射工艺参数及增加热处理等工艺初步解决了以上存在的薄膜制备工艺与IC工艺之间的兼容性问题．采用标准硅基IC工艺设计和制备了这种新型结构的薄膜变压器，对一组薄膜变压器样品的实验参数在20～210MHz的频率范围内作了测试．测试结果表明：对于设计的匝数比为1的薄膜变压器，在90～210MH