超晶格（Ge2）1／（GaAs）m（110）（m=1—20）的电子能带结构研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kcl

【摘要】

：

在紧束缚的框架下,利用重整化方法计算了超晶格(Ge_2)_1/(GaAs)_m(110)(m=1-20)的电子能带结构。计算结果表明,对不同m的超晶格(Ge_2)_1/(GaAs)_m(110) 都具有间接能隙结构,

【作者】

：

徐至中

【机构】

：

复旦大学表面物理实验室上海

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1990年5期

【关键词】

：

Ge/GaAs 电子能带结构禁闭效应 Carvier Confinement EffectFolding of Brillouin ZoneRenormali

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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在紧束缚的框架下,利用重整化方法计算了超晶格(Ge_2)_1/(GaAs)_m(110)(m=1-20)的电子能带结构。计算结果表明,对不同m的超晶格(Ge_2)_1/(GaAs)_m(110) 都具有间接能隙结构,而且间接导带底的电子状态具有明显的二维特性。单层超晶格(Ge_2)_1/(GaAs)_1(110)具有非常小的间接和直接禁带宽度。当GaAs层的层数m逐渐增加时,导带的电子状态逐渐由三维特性向二维特性过渡,但是这一过渡对布里渊区内的各点,情况都各不相同。超晶格导带底的横向色散关系当m≥10以后

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