【摘 要】
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利用能量输运模型（ＥＴＭ）系统研究了沟道δ掺杂分布对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ结构特性的影响；发现δ掺杂结构不仅能够有效地抑制短沟道效应，而且可以获得较高的驱动速度，改善了掺杂容限特性；只要δ掺杂
【机 构】
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清华大学微电子学研究所，美国斯坦福大学集成系统中心
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利用能量输运模型（ＥＴＭ）系统研究了沟道δ掺杂分布对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ结构特性的影响；发现δ掺杂结构不仅能够有效地抑制短沟道效应，而且可以获得较高的驱动速度，改善了掺杂容限特性；只要δ掺杂峰值浓度离界面保持一定距离，则热电子产生率无明显增长；提出的δ掺杂分布适用于０．１μｍＭＯＳＦＥＴ，与均匀掺杂相比，它具有较高的综合品质因子．
The effect of channel δ doping on the structural characteristics of deep sub-micron MOSFETs was investigated by using the energy transport model (ETM) system. It was found that δ-doping structure not only can effectively suppress the short channel effect but also can obtain high driving speed , Improving the doping tolerance characteristics; as long as the δ-doping peak concentration keeps a certain distance from the interface, there is no obvious increase in the generation rate of the hot electrons; the proposed δ-doping distribution is suitable for a 0.1μm MOSFET with uniform doping Has a high overall quality factor.
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