【摘 要】
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HIT电池高效率核心技术之一为本征非晶硅薄膜钝化硅片.本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)法制备a-SiOx∶H,采用SintonWCT-120少子寿命测试仪、光谱型椭偏仪及傅里叶红外光谱测
【机 构】
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南昌工程学院理学院 南昌 330099南昌大学光伏研究院 南昌 330031;南昌工程学院理学院 南昌 330099;南昌大学光伏研究院 南昌 330031;
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HIT电池高效率核心技术之一为本征非晶硅薄膜钝化硅片.本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)法制备a-SiOx∶H,采用SintonWCT-120少子寿命测试仪、光谱型椭偏仪及傅里叶红外光谱测试仪分析样品性能,以期获得高质量a-SiOx∶H的工艺参数并分析微观机理.结果 表明:①随热丝电流增加,沉积a-SiOx∶H膜的样品少子寿命先增加后减小,22.5 A时钝化效果最好,少子寿命高达2530μs,表面复合速率降至3.6 cm/s;②本实验结果中,a-SiOx∶H钝化效果明显优于a-Si∶H,少子寿命最高分别为2530和547μs;③a-SiOx∶H薄膜中SiH、SiH2相对含量与薄膜钝化性能无直接关联.
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