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采用提拉法沿a、b、c轴方向生长了Tm：YAP晶体,研究了该晶体的几种常见缺陷。通过化学腐蚀,利用光学显微镜观察了Tm：YAP晶体主要晶面的位错腐蚀坑形貌,发现在沿b轴生长晶体的（010）面上存在位错蚀坑密度不同的区域,对其成因进行了分析。借助偏光显微镜研究了晶体中的孪晶及消光现象,分析了成因并提出了消除措施。用He-Ne激光对晶体内的散射颗粒分布进行了研究,在扫描电镜（SEM）下观察到形状不规则的散射颗粒夹杂。上述研究结果对获得优质Tm：YAP晶体具有重要意义。