【摘 要】
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在0.35μm SiGe BiCMOS工艺条件下,设计了一个全集成的低相位噪声LC压控振荡器(VCO)。该VCO采用尾电阻结构替代传统的尾电流源结构实现电流控制,以减小尾电流源产生的噪声。
【机 构】
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东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
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在0.35μm SiGe BiCMOS工艺条件下,设计了一个全集成的低相位噪声LC压控振荡器(VCO)。该VCO采用尾电阻结构替代传统的尾电流源结构实现电流控制,以减小尾电流源产生的噪声。该VCO的调谐范围为480MHz,可以覆盖2.32~2.8GHz。当振荡频率为2.5GHz时,100kHz和1MHz频偏处的相位噪声分别为-104.3dBc/Hz和-124.3dBc/Hz。振荡器工作电压为5V,尾电流为5mA。工作在2.5GHz时,其100kHz频偏处的性能系数为-178dBc/Hz。
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