【摘 要】
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为了研制Si C高温电容式MEMS压力敏感元件以满足高温环境下压力参数测量,设计了一种基于P型4H-Si C减薄抛光工艺制备高温变间隙电容式压力传感器敏感元件结构方法;通过数值仿
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为了研制Si C高温电容式MEMS压力敏感元件以满足高温环境下压力参数测量,设计了一种基于P型4H-Si C减薄抛光工艺制备高温变间隙电容式压力传感器敏感元件结构方法;通过数值仿真,研究了敏感元件的性能,得到敏感元件输出电容随压力、温度的变化曲线;通过微机械加工工艺制备出了Si C电容式高温压力传感器敏感元件,研制出Si C电容式高温压力传感器原理样机,通过模拟高温压力传感器样机工作环境,搭建了高温微压测试平台并对原理样机进行性能测试;结果显示,样机在873.15 K下能够正常工作,灵敏度为18.7 f F/k Pa,非线性为12.60%,迟滞为0.47%,能够满足解调电路拾取压力信号.
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