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从理论和实验对常规和背场硅太阳电池的光谱响应进行研究，利用阻尼最小二乘法对光谱响应进行拟合计算，可得出各区少子扩散度，表面复合速度和结深等参数，计算结果表明，拟合值和实验值的乘余标准离差σ≤３．２％，用等光强表面光伏法对基区少子扩散和蔗进行跟踪监测，观察其随工艺变化况并验证光谱响应拟合结果。
硅太阳电池光谱响应的曲线拟合研究
【摘 要】
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从理论和实验对常规和背场硅太阳电池的光谱响应进行研究，利用阻尼最小二乘法对光谱响应进行拟合计算，可得出各区少子扩散度，表面复合速度和结深等参数，计算结果表明，拟合值和实验
【机 构】
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福州华榕电器工业公司
【出 处】
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厦门大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1994年6期
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