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为制备高输出性能的 α-Si∶H FET,本文运用电荷控制理论分析了器件的输出电流、开关比及场效应迁移率对材料和结构参数的依赖关系。根据分析结果设计并制备了沟道宽长比高达10~3的α-Si∶H MNS FET 样品,其输出电流达 mA 数量级。
高性能α-Si:H FET的电荷控制分析与研制
【摘 要】
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为制备高输出性能的 α-Si∶H FET,本文运用电荷控制理论分析了器件的输出电流、开关比及场效应迁移率对材料和结构参数的依赖关系。根据分析结果设计并制备了沟道宽长比高达
【机 构】
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电子科技大学微电子科学与工程系,电子科技大学微电子科学与工程系
【出 处】
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电子科技大学学报
【发表日期】
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1990年6期
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