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根据多晶硅薄膜氢化的微观机理，提出改进氢化效果的工艺方法。在不增加设备投资的情况下，采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果，从而提高薄膜晶体管的性能，ＩＯＮ／ＩＯＦＦ从１０＾３量级增加到１０＾５量级，氢化工艺的处理时间也相应缩短。
多晶硅薄膜的等离子氢化新工艺
【摘 要】
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根据多晶硅薄膜氢化的微观机理，提出改进氢化效果的工艺方法。在不增加设备投资的情况下，采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果，从而提高薄膜晶体管的性能，ＩＯＮ／ＩＯＦＦ从１０＾３量级增加到１０＾５量
【机 构】
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华中理工大学电子科学与技术系
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2000年6期
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