【摘 要】
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采用SEM、XRP、DSC和体积膨胀等手段对非结晶形HIPS/CB(聚苯乙烯/炭黑)导电复合材料的导电行为进行分析.实验结果表明,HIPS/CB导电复合材料的渗流区域较窄,炭黑含量为30~40 g
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采用SEM、XRP、DSC和体积膨胀等手段对非结晶形HIPS/CB(聚苯乙烯/炭黑)导电复合材料的导电行为进行分析.实验结果表明,HIPS/CB导电复合材料的渗流区域较窄,炭黑含量为30~40 g时,电阻发生急剧降低,在渗流阀值附近导电复合材料的电阻率变化最大,跃迁强度为2.2个数量级;HIPS/CB导电复合材料的PTC起始转变温度在85℃左右,与HIPS的玻璃化转变温度接近,HIPS作为非晶材料其体积膨胀较弱,并不足以单独解释PTC效益.
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