500 V/11 A VDMOSFET 的研究

来源 :西安交通大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:songyong
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在理论分析的基础上,设计制作了500V/11AVDMOSFET芯片,并且进行了失效分析,从而进一步解决了设计和工艺中存在的问题,提高了成品率.最后指出了今后努力的方向.
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