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对凤尾蕨进行外植体诱导、继代培养和生根培养试验，结果表明，最适的原叶体诱导培养基为MS＋6-BA0．5mg／L＋NAA0．1mg／L，孢子体诱导培养基和孢子体增殖培养基均为MS＋NAA2．0mg／L，生根培养基为1／2MS，培养温度23℃±2℃，光照强度1000lux左右，利用该技术可实现凤尾蕨组培苗规模化生产。