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本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备出了系列不同功率的微晶硅薄膜.对薄膜的电学特性和结构特性进行了测试分析,结果表明:制备出了光敏性在500～700、激活能在0.5 eV左右、沉积速率大于0.8 nm/s和晶化率在60%左右的微晶硅材料.同时也对材料的稳定性进行了相关的研究.
高速微晶硅材料的制备及其特性分析
【摘 要】
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本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备出了系列不同功率的微晶硅薄膜.对薄膜的电学特性和结构特性进行了测试分析,结果表明:制备出了光敏性在500～700、激活能在0.5
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071,光电信息技术科学教育部重点实验室（南开大学
【出 处】
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真空科学与技术学报
【发表日期】
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2005年4期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)，教育部科学技术基金，国际科技合作项目，天津市科技攻关项目
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