【摘 要】
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为得到高温环境下894. 6 nm稳定波长激光输出的垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL),设计并制备了腔模位置不同的VCSEL芯片;通过对VCSEL腔模位置、输出波长和温漂系数的测试分析
【机 构】
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长春理工大学理学院高功率半导体激光器国家重点实验室,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
【基金项目】
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国家重点研发计划项目(2017YFB0402800);国家自然科学基金项目(61504010、61504022);吉林省科技厅中青年科技创新领军人才及团队项目(20160519007JH);吉林省科技厅重大科技招标专项项目(20160203015GX)
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为得到高温环境下894. 6 nm稳定波长激光输出的垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL),设计并制备了腔模位置不同的VCSEL芯片;通过对VCSEL腔模位置、输出波长和温漂系数的测试分析,研究了腔模位置对器件输出波长的影响,发现腔模位置与输出波长具有线性对应关系。设计了腔模位置在890.5 nm的VCSEL外延片结构,经工艺制备得到了85℃高温环境下894.6 nm稳定波长激光输出的VCSEL芯片。实验结果表明,通过调控腔模位置可得到目标波长激光输出的VCSEL芯片,该研究为研制其他波段稳定波长激光输出
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