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采用密度泛函理论与周期性平板模型相结合的方法,在GGA/PW91/DNP水平上研究了Si掺杂4,7-二(2-噻吩基)苯并噻二唑(DTBT-Si)在TiO2(100)表面的吸附。通过吸附前后化合物DTBT-Si的Mulliken charge和前线轨道分析表明:当DTBT-Si吸附在TiO2(100)表面时,DTBT-Si表面向TiO2(100)转移0.923e电荷,同时前线轨道能隙变窄。