【摘 要】
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采用基于有限元的数值模拟方法，研究了VHF—PECVD法制备微晶硅薄膜的等离子体放电和气相反应过程，模拟了放电功率对等离子体特性及气相化学的影响，并与光发射谱（OES）在线监测结果
【机 构】
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郑州大学材料物理教育部重点实验室,济源职业技术学院电气工程系
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采用基于有限元的数值模拟方法，研究了VHF—PECVD法制备微晶硅薄膜的等离子体放电和气相反应过程，模拟了放电功率对等离子体特性及气相化学的影响，并与光发射谱（OES）在线监测结果进行了比较。模拟结果表明：当放电功率从30w增大至70w时，等离子体中心区域的电子温度L基本保持不变，电子浓度ne和等离子体电势φ线性增大；气相中H和SiH3等基元浓度逐渐增大，二者的浓度比nH／nSiH3亦随功率单调增大，模拟结果与OES测量结果吻合的很好。最后，根据数值模拟结果，对实验上不同放电功率下微晶硅薄膜的生长特性进行
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