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采用高温漏电流补偿技术设计了一种工作于-40～130℃的高稳定性低压差（LDO）线性稳压器．通过设计一种新型的动态米勒频率补偿结构，使LDO电路的稳定性与负载电流无关，达到了高稳定性设计要求．芯片设计基于CSMC公司的0．5／μm互补金属氧化物半导体（CMOS）混合信号模型，并通过了芯片测试验证．仿真与测试结果表明，该稳压器的输出电压温度漂移系数为2×10^-5／℃，负载瞬态响应的建立时间小于50ps，输出电压跳变小于50mV．电源抑制比在1kHz时为-50dB．当输出电流为150mA时，其输入