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在传统一级温度补偿带隙基准电路的基础上，对电路进行了改进，实现二级温度补偿，该电路可以在-40～115℃范围内，达到平均低于5×10^-6/℃的温度系数。整个电路采用Chartered 0.35μm CMOS工艺实现，使用Hspice仿真器进行仿真。仿真结果证明此基准电压源具有很低的温度系数。
5×10^-6/℃的带隙基准电压源设计
【摘 要】
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在传统一级温度补偿带隙基准电路的基础上，对电路进行了改进，实现二级温度补偿，该电路可以在-40～115℃范围内，达到平均低于5×10^-6/℃的温度系数。整个电路采用Chartered 0.3
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所,北京大学微电子所
【出 处】
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电子科技
【发表日期】
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2006年5期
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