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采用化学聚合法制备电容器用聚吡咯,研究了不同的氧化剂和掺杂剂对PPY电导率的影响,并利用TGA,DSC,FT-IR等分析手段,对聚吡咯的热老化性质进行研究,结果表明聚吡咯在有氧条件下热老化比无氧时快很多.
化学聚合法制备电容器用聚吡咯
【摘 要】
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采用化学聚合法制备电容器用聚吡咯,研究了不同的氧化剂和掺杂剂对PPY电导率的影响,并利用TGA,DSC,FT-IR等分析手段,对聚吡咯的热老化性质进行研究,结果表明聚吡咯在有氧条件
【机 构】
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福州大学材料科学与工程学院,福建国光新型电子元件与材料技术研究院,福州,闽江学院化学化工系
【出 处】
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四川大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2005年S1期
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