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本文使用Geant4模拟了1、5、10、20、50、100、500、1000MeV能量的质子入射GaAs的位移损伤情况。随入射质子能量的增大,产生的初级离位原子(PKA)数目增加、种类增多;PKA能谱分布总体上呈递减趋势,PKA在低能量区间所占份额降低,在高能量区间所占份额升高。研究结果表明,辐射缺陷浓度在质子入射方向上遵循布拉格规律。