区熔再结晶SOI技术

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jchangmafco
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
<正> 前言 特征尺寸不断缩小,每块芯片上的元件数目不断增加,这是硅集成电路(IC)发展的基本趋势。目前商品化VLSI芯片的最小特征尺寸大约为1μm,每块芯片上的元件数大约为100万个。在快到1990年的时候,我们将能看到亚微米特征尺寸和数百万至数千万个元件的芯片出现。随着器件的尺寸及器件之间的间隔缩小到1μm以下,我们需要采用一种新的器件隔离技术,来防止相邻器件之间通过硅衬底出现寄生耦合现象。
其他文献
本文结合对数放大器在雷达接收机中的应用,采用微型组装级联单片对数放大器的方法,来扩大动态范围,提高对数精度,从而获得适当的频带和传输时延。文中列出了微型组装的五级、
改革开放以来,我国财政改革成绩显著,但改革的重点一直是放在收入分配制度的建立和完善上,对支出管理未能高度重视。随着我国市场经济体制改革的不断推进,国际经济一体化的深入,特
随着设计综合自动系统愈来愈强大和集成电路市场进一步转向专用技术,迅速地把发展中的专用集成电路(ASIC)技术转移到其他工程学科中去的问题已经变得十分重要了。概念构架有
著名学者吴宝康教授在安徽省实施《档案法》业务研讨班上,题为《关于档案学未来发展的一些思考》的学术报告中,提出了一些鲜为人知的见解。吴教授回顾了我国档
山东省鄄城县档案馆来稿呼吁建立印模档案,这个问题值得注意.但旧印模到底由何单位收集、保存,还可研究.
SOI(绝缘体上硅)衬底适合用来制作高性能器件。在制作SOI衬底方面最有前途的技术是那些以多孔硅氧化为基础的技术。多孔硅具有一系列独特的材料性能,适用于各种不同的SOI加工
在信息技术与网络大发展的时代背景下,高等教育的改革与创新是全方位、多角度的,是教育理念、教学资源与学习方式的变革。基于此,本文将简述慕课的基本含义,以解决应用中的瓶
我们把用SIMOX工艺所形成的纵向隔离结构和新开发的横向隔离结构结合起来,研制出抗辐照CMOS/SIMOX器件。 n沟MOSFET的纵向隔离由多层高浓度氧掺杂多晶硅和埋层二氧化硅组成,
大兴县城镇建设综合开发公司以企业档案管理为龙头,带动企业的全面管理工作,为提高企业人员档案意识,公司作出决定:(1)公司领导成员以普通工作人员的身份每年必须到公司档案