【摘 要】
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采用化学水浴法,在醋酸镉、硫脲、氨水、醋酸铵的体系中制备CdS薄膜,设计L2556正交实验,研究各沉积参数对CdS薄膜生长速率的影响.结果表明,温度、醋酸铵浓度、搅拌强度为主要
【机 构】
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兰州理工大学材料科学与工程学院,兰州730050;兰州理工大学可再生能源研究院,兰州730050;兰州理工大学材料科学与工程学院,兰州,730050;兰州理工大学可再生能源研究院,兰州,730050
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采用化学水浴法,在醋酸镉、硫脲、氨水、醋酸铵的体系中制备CdS薄膜,设计L2556正交实验,研究各沉积参数对CdS薄膜生长速率的影响.结果表明,温度、醋酸铵浓度、搅拌强度为主要影响因素,醋酸镉、硫脲、氨水的浓度为次要因素,生长速率最小为0.68nm/min,最大达到43.12nm/min.各沉积参数对CdS薄膜生长速率的影响规律各不相同,随温度升高而单调增加,随醋酸铵浓度增大而单调下降;随着转速的加快生长速率先增大后减小最后保持稳定;醋酸镉、硫脲和氨水浓度对生长速率的影响规律较为复杂,存在一临界浓度,在临界浓度两侧生长速率变化差异较大,当浓度过大时,生长速率开始下降.
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