HL-2M中性束负离子试验源磁场位形及引出结构模拟分析

来源 :核聚变与等离子体物理 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yhb819
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采用CST电磁工作室和粒子工作室软件对负离子试验源的会切磁场、过滤磁场、电子偏转磁场的位形及引出束流的光学进行了模拟计算。通过扫描会切磁体、过滤磁体、电子偏转磁体的表面磁场参数,确定了最佳的磁体结构和运行参数:周边6圈会切磁体,会切磁体表面磁场4kG,过滤磁体表面磁场5.5kG,电子偏转磁体表面磁场2.5kG,引出电压5~20k V,加速电压50~160k V,引出负离子束的光学性能满足NBI注入要求。
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