【摘 要】
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用低压 MOCVD系统在 ( 1 1 1 ) Si衬底上 ,用两步生长方法 (改变 / 流量比 )在 3 0 0～ 4 0 0℃时外延生长了 Zn S单晶薄膜。随着衬底温度的降低 ,Zn S薄膜结晶质量提高 ,并在
【机 构】
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中国科学院激发态物理开放研究实验室,中国科学院长春物理研究所!吉林长春130021,中国科学院激发态物理开放研究实验室,中国科学院长春物理研究所!吉林长春130021,中国科学院激发态物理开放研究实验
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用低压 MOCVD系统在 ( 1 1 1 ) Si衬底上 ,用两步生长方法 (改变 / 流量比 )在 3 0 0～ 4 0 0℃时外延生长了 Zn S单晶薄膜。随着衬底温度的降低 ,Zn S薄膜结晶质量提高 ,并在 3 0 0℃生长时获得结晶完整性较好的( 1 1 1 ) Zn S单晶薄膜。文中讨论了衬底温度对薄膜质量的影响。
ZnS single crystal thin films were epitaxially grown on (1 1 1) Si substrates by a low pressure MOCVD system at 300 ~ 400 ℃ by a two-step growth method (change / flow ratio). With the decrease of the substrate temperature, the crystalline quality of the ZnS thin films increased, and (1 1 1) ZnS single crystal thin films with better crystal integrity were obtained when grown at 300 ℃. The effect of substrate temperature on film quality is discussed in this paper.
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