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将高剂量（１×１０＾１７／ｃｍ＾２）Ｓｉ＾＝注入热氧化ＳｉＯ２薄膜，在－５．０ｅＶ（２６５ｎｍ）激光的激发下，观测到２．９７ｒｅＶ，２．３２ｅＶ和１．７３ｅＶ的三个光致发光峰，经快速热奶火处理后，其ＰＬ谱峰形发生变化，本文对ＰＬ峰的产生与变化机制进行了初步探讨。
Si^＋注入SiO2薄膜的三个PL峰及其受RTA的影响
【摘 要】
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将高剂量（１×１０＾１７／ｃｍ＾２）Ｓｉ＾＝注入热氧化ＳｉＯ２薄膜，在－５．０ｅＶ（２６５ｎｍ）激光的激发下，观测到２．９７ｒｅＶ，２．３２ｅＶ和１．７３ｅＶ的三个光致发光峰，经快速热奶火处理后，其ＰＬ谱峰形发生变化，本文对ＰＬ峰的产生与变化机制进行了初步探讨。
【机 构】
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中国科技大学研究生院,首都师范大学物理系,北京师范大学低能所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年3期
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