【摘 要】
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采用微波水热法,在ITO导电基底上合成出了SnO2纳米柱状阵列。经过扫描电子显微镜、X射线衍射表征发现微波水热法合成得到的SnO2纳米柱状阵列,其高度约为400 nm,组成阵列的柱
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院,上海大学纳米科学与技术研究中心
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采用微波水热法,在ITO导电基底上合成出了SnO2纳米柱状阵列。经过扫描电子显微镜、X射线衍射表征发现微波水热法合成得到的SnO2纳米柱状阵列,其高度约为400 nm,组成阵列的柱状结构直径约为100nm。通过紫外漫反射光谱测试得出SnO2纳米柱状阵列的禁带宽度为3.25 eV,光致发光光谱显示在390nm、405nm和425nm处分别存在较强发射峰。
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