【摘 要】
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利用4种不同线性能量转换值的重离子对一款65nm三阱CMOS静态随机存储器（SRAM）进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转图形、位置和事件数与器件结构布局结合对器件单粒子翻转截面、
【机 构】
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中国原子能科学研究院核物理研究所,国防科学技术大学
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利用4种不同线性能量转换值的重离子对一款65nm三阱CMOS静态随机存储器（SRAM）进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转图形、位置和事件数与器件结构布局结合对器件单粒子翻转截面、单粒子事件截面及多位翻转机理进行深入分析。结果表明,单粒子事件截面大于单个存储单元内敏感结点面积,单粒子翻转截面远大于单个存储单元面积。多位翻转事件数和规模的显著增长导致单粒子翻转截面远大于单粒子事件截面,多位翻转成为SRAM单粒子翻转的主要来源。结合器件垂直阱隔离布局及横向寄生双极晶体管位置,分析得到多位翻转主要由PMOS和NM
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