钛酸钡系PTCR半导体陶瓷烧结过程的计算机模拟——Ⅱ．烧结中后期及奥氏熟化过程中的晶粒生长

来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shanwq1983

【摘要】

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对Monte-Carlo计算机模拟法的Q-States Potts模型进行了修正,用于模拟BaTiO3系PTCR半导体陶瓷烧结中后期的晶粒生长和奥氏熟化过程以及液相性质对晶粒生长的影响.模拟结果表

【作者】

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张道礼翁广安龚树萍周东祥

【机构】

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华中科技大学电子科学与技术系,计算机科学与技术学院

【出处】

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功能材料

【发表日期】

：

2001年6期

【关键词】

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钛酸钡系PTCR陶瓷计算机模拟烧结中后期奥氏熟化晶粒生长 BaTiO3based PTCR ceramics computer simulation

【基金项目】

：

国家高技术研究发展计划(863计划)

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对Monte-Carlo计算机模拟法的Q-States Potts模型进行了修正,用于模拟BaTiO3系PTCR半导体陶瓷烧结中后期的晶粒生长和奥氏熟化过程以及液相性质对晶粒生长的影响.模拟结果表明:在含有液相的二相系统,钛酸钡半导瓷样品在1240℃附近体积收缩率基本上达到了最大值,以后的保温阶段是在液相控制下的晶粒生长和致密化过程,这和大多数实验结果是一致的.

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