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采用射频（直流）磁控溅射的方法，在生长了约200nm厚Si3N4过渡层的硅片上制备了NiFe薄膜。采用惠斯通电桥作为磁场的感应部分，设计了惠斯通电桥的尺寸，并通过光刻剥离的技术制备了电桥。研究了NiFe薄膜厚度对电桥敏感特性的影响，确定了厚度为50nm时有较高的灵敏度。将磁电阻敏感单元与信号放大处理电路集成，成功地制作出了磁场感应阀值为160～A/m（2Oe）的磁电阻开关芯片。