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研究了低温合成保温时间工艺参数对钡铟双填充方钴矿快速制备样品的影响，并重复验证了采用熔融急冷（淬火）－低温合成高温烧结SPS工艺快速制备Ba、In双填充方钴矿热电材料的可行性。结果表明：熔融急冷（淬火）结合低温合成高温烧结SPS工艺快速制备出了单相填充CoSb3基热电材料，极大地缩短了制备时间。样品在低温阶段合成高温阶段烧结，样品的热电性能随低温合成保温时间的延长先增加后降低，这与样品在合成烧结过程中Sb的挥发和微结构的变化有关。当SPS低温烧结时间为10min时，名义组成为Ba0.3，In0,2Co4S