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由载流子输运理论推出a-Si：H／c-Si异质结太阳电池的背接触势垒是其j-V曲线出现S-shape现象的原因之一，此时电池内部存在两个串联反偏的二极管，阻碍载流子输运。通过模拟计算验证该结论，发现硅基异质结太阳电池背接触产生的肖特基势垒高度存在最大临界值，高于此值则电池的开路电压、填充因子和转换效率会急剧衰减，而短路电流密度基本不变。