【摘 要】
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采用射频磁控反应溅射法在单晶硅片上制备了氧化硅（SiOx）薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和电击穿场强的影响。结果表明：薄膜的主要成分为氧化硅（SiOx）;
【基金项目】
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湖南省教育厅资助项目（08C827）
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采用射频磁控反应溅射法在单晶硅片上制备了氧化硅（SiOx）薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和电击穿场强的影响。结果表明：薄膜的主要成分为氧化硅（SiOx）;退火前后,薄膜的表面粗糙度由原来的1.058 nm下降至0.785 nm,峰与谷之间的高度差由原来的7.414 nm降低至5.046 nm;薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先增大后减小,通过800℃/100 s的快速热退火,在各种射频功率下制备的薄膜电击穿场强都有明显升高,薄膜的绝缘性能显著增强。
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